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BS170中文资料

BS170图片

BS170外观图

  • 大小:75.65KB
  • 厂家:GE [General Semiconductor]
  • 描述:DMOS Transistors (N-Channel)
  • 标准包装:1,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:500mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5 欧姆 @ 200mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:60pF @ 10V
  • 功率 - 最大:350mW
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 包装:管件
  • 其它名称:BS170OS

BS170供应商

更新时间:2023-01-08 02:34:25
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